全校师生：

我校定于2017年5月18日举办研究生灵犀学术殿堂——闵泰报告会，现将有关事项通知如下：

1.报告会简介

报告人：闵泰 教授

时 间：2017年5月18日（星期四） 上午10：30

地 点： 长安校区 理学院383报告室

主 题：Status of STT-MRAM and interface Spintronics

内容简介：Spin-transfer-torque (STT) MRAM has emerged as the most promising candidate for future L2/L3 cache and DRAM replacement due to its non-volatility, fast read and write time, small size, infinite endurance and compatibility with CMOS technology. There are still many remaining challenges for commercialization of STT-MRAM as disruptive memory technology. Especially, how to reduce the critical switching current at sub-20nm dimension.

The interface of hybrid junction takes the important role for low critical switching current because of the maintaining adequate thermal energy barrier, increasing tunneling magneto-resistance (TMR) and controlling the resistance distribution. In this talk, we will review the recent progress and future outlook of STT-MRAM and introduce the interface effects in Spintronics.

2.欢迎各学院师生前来听报告。报告会期间请关闭手机或将手机调至静音模式。

党委研究生工作部

理学院

2017年5月11日

报告人简介

闵泰教授，材料学院自旋电子材料与量子器件研究中心主任。曾任美国TDK/MagIC/Headway资深总监，下一代新型半导体存储器研发及产品化的关键工程技术人才。1993年获美国明尼苏达大学电机系博士学位；1993至2015年在国际一流半导体企业任职，历任资深总监、总监、经理、主任工程师、高级工程师；2015年3月任西安交通大学材料学院全职教授。

主要研究领域包括半导体器件技术、存储器和传感器、自旋电子学效应及应用。成功研发出新型半导体器件；领导国际微电子研究中心（IMEC）研发团队，成功研发出业界领先的sub-20nm STT-MRAM及Spintronics技术。2014年发表了IMEC第一篇IEDM 论文，获评IMEC 30年30项杰出成果之一；领导TDK公司研发团队，研发出领先的新型存储器产品，开创性地解决了磁性高速随机非挥发性半导体存储器产品化的难题；发明了世界上唯一的遵循摩尔定律的磁性高速随机非挥发性半导体存储器，并成功研发出世界上第一个90nm级的电流驱动高速随机非挥发性半导体存储器，拥有66项美国专利，奠定了公司的MRAM产品基础。